Первая в отрасли трехмерная (3D) вертикальная NAND (V-NAND) флеш-память

Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области технологий и средств хранения информации, объявила, что начато массовое производство первой в отрасли трехмерной (3D) вертикальной NAND (V-NAND) флеш-памяти, которая решает проблемы с масштабируемостью решений на базе существующих NAND флеш-технологий. Данная разработка может использоваться для широкого спектра применений, например для встроенных NAND чипов, твердотельных накопителей (SSD) и т.п. Позволит повысить быстродействие и надежность хранения информации.

Особенностью компоновки кристаллов V-NAND флеш-памяти является формирование слоев по вертикали, то есть организация 3D-структуры. В одном чипе может располагаться до 24 слоев.
Новая V-NAND память компании Samsung предлагает 128 гигабитную (Гб) плотность в одном чипе, используя собственные разработки - вертикальные структуры в ячейках на основе 3D Charge Trap Flash (CTF, «память с ловушкой заряда») технологии и также, технологии вертикальных связей. Применяя обе эти технологии, 3D Samsung V-NAND в состоянии обеспечить создание чипов на основе 10-нанометрового техпроцесса.
Принцип работы обычной флеш-памяти заключается в регистрации электрического заряда в изолированной области («кармане») некоей полупроводниковой структуры. Данный процесс сопряжен с тем, что происходит накопление необратимых изменений, которые приводят к деградации памяти, поэтому количество циклов записи для ячеек флеш-памяти ограничено. Одна из основных причин деградации состоит в невозможности индивидуального контроля за зарядом плавающего затвора в ячейке. В CTF-памяти электрический заряд хранится в специальной изолированной области. Эта технология позволяет обеспечить уменьшение электромагнитного шума во время передачи данных, и повысить надежность хранения информации.

Утверждается, что по сравнению с присутствующими на рынке изделиями новые флеш-чипы обеспечивают увеличение скорости записи в два раза и повышение надежности хранения в 2–10 раз.

После почти 10 лет исследований, Samsung в настоящее время имеет более 300 запатентованных технологии 3D памяти по всему миру. Создание первых в отрасли устройств на базе этой технологии способно упрочить ведущее положение компании в области разработки устройств хранения. Согласно данным IHS ISuppli, рынок NAND флэш-памяти ожидается на уровне около $ 30,8 млрд. на конец 2016 года, от базового значения $ 23,6 млрд. в 2013 году. Среднегодовой темп роста индустрии памяти составляет около 11 процентов.

(По материалам samsungvillage.com)

Про энергонезависимую память еще можно прочитать здесь:

Усовешенствование резистивной памяти RRAM
Резистивная энергонезависимая память RRAM